申請（專利）號：CN200510093367.3申請日：2005.08.26
公開（公告）號：CN1921157公開（公告）日：2007.02.28
主分類號：H01L33/00(2006.01)范疇分類：
分類號：H01L33/00(2006.01)
優(yōu)先權：
申請（專利權）人：中國科學院半導體研究所
地址：100083北京市海淀區(qū)清華東路甲35號
國省代碼：北京；11
發(fā)明（設計）人：康亭亭；劉祥林
國際申請：
國際公布：
進入國家日期：
專利代理機構：中科專利商標代理有限責任公司
代理人：段成云
分案申請?zhí)枺?br /> 頒證日：





摘要：
本發(fā)明涉及發(fā)光二極管技術領域的一種深紫外發(fā)光二極管結構。該結構利用了等離激元效應，表面等離激元是光場在導體表面與載流子相互耦合形成的振蕩波，表面等離激元的激發(fā)、耦合是通過具有周期性結構的金屬薄膜來實現(xiàn)的，同時該金屬薄膜又具有電極接觸的功能。其基本結構是將一般MIS發(fā)光二極管的金屬部分采用具有可以產(chǎn)生表面等離激元的周期性結構的。

主權項：
一種深紫外發(fā)光二極管，其特征在于：利用等離激元效應來提高光發(fā)射的量子效率的MIS紫外發(fā)光二極管結構，表面等離激元是光場在導體表面與載流子相互耦合形成的振蕩波，表面等離激元的激發(fā)、耦合是通過具有周期性結構的金屬薄膜來實現(xiàn)的，同時該金屬薄膜又具有電極接觸的功能。http://www.zneb.com.cn